Pour faire suite à la première réunion qui s’est tenue en novembre 2013 à Paris, nous vous convions à la première édition des journées S2P se tiendra à Tours les 3 et 4 juillet 2014.
L'objectif de ces journées est de réunir au niveau national les acteurs français et francophones impliqués dans la recherche sur le silicium et les semi-conducteurs poreux et sur leurs applications.
Des présentations orales et une séance posters permettront aux participants de faire connaître leurs thèmes de recherche au travers de résultats récents.
Les doctorants et post-doctorants seront prioritaires pour les présentations orales.
Cette première édition sera multi-thèmes et abordera entre autres, les thèmes suivants (non exhaustif) :
Elaboration, techniques de fabrication, structures
Un intérêt nouveau pour les semi-conducteurs poreux a émergé dans la communauté scientifique dans les années 90, notamment grâce à la découverte de la photoluminescence du Si poreux. Les procédés électrochimiques sont devenus des méthodes phares de nano-structuration de la plupart des semi-conducteurs (Si, GaAs, InP, etc…) et ont permis la génération de réseaux poreux auto-ordonnés (Al2O3, TiO2, etc…). Ils ont dès lors été largement étudiés car ils ont ouvert des perspectives pour la fabrication de nano-objets à propriétés nouvelles, en particulier électroniques et optiques. Par la suite, les domaines d’applications potentielles de ces structures anodiques poreuses, n’ont cessé de croître et d’évoluer. En particulier, le Si poreux dotés de fonctionnalités variées a révélé un potentiel considérable pour des applications en opto- et microélectronique, systèmes, capteurs, matériaux pour l’énergie, ainsi que pour la nanomédecine.
Aujourd’hui, le silicium et les semi-conducteurs poreux sont au cœur des intérêts scientifiques de nombreuses équipes de recherche dans le monde entier, attirant l’attention de chimistes, de physiciens, de biologistes et de médecins.
Dates importantes
9 juin 2014 :
date limite pour l’envoi des résumés et clôture des inscriptions