Conférence d'ouverture

Jean-Noël Chazalviel a soutenu sa thèse en physique des solides en 1974, sur l'effet Hall dépendant du spin dans les semi-conducteurs. Après un séjour postdoctoral à Bell Labs, il a développé au laboratoire de Physique de la Matière Condensée (CNRS-Ecole Polytechnique) une activité d'électrochimie des semi-conducteurs. Il s'est intéressé initialement aux fameux états de surface (ou d'interface), et a formulé un modéle important sur le transfert électrochimique via ces états. Par la suite, il a développé la technique de spectroscopie infrarouge in-situ, devenant un expert de cette technique appliquée aux électrodes semi-conductrices.

En 1989 il a établi que, au cours de la formation du silicium poreux par dissolution anodique dans HF, la surface du silicium reste essentiellement hydrogénée et vierge de fluor. Ses travaux ultérieurs sur le système silicium/milieu fluorure l'ont conduit en particulier à élaborer de la silice poreuse. Ses contributions au domaine du silicium poreux incluent un modéle théorique détaillé de la formation de semi-conducteurs poreux. Ces études l'ont amené à entreprendre des modifications de la surface du silicium par greffages organiques. Il a été l'un des pionniers de ce domaine qui s'est par la suite développé en un champ de recherches très actif.

Il s'est également intéressé au problème de la formation de dépôts électrochimiques de métaux sous forme ramifiée, et a formulé un modèle expliquant l'instabilité du mécanisme de dépôt, basé sur une approche numérique et fournissant des prédictions quantitatives vérifiées par la suite par l'expérience.

Ses travaux lui ont valu de nombreuses distinctions, parmi lesquelles tout récemment la médaille Volta 2012 de l'Electrochemical Society. Ses études électrochimiques ont bénéficié de sa solide formation en physique et d'idées originales qui l'ont souvent amené à concevoir de nouvelles techniques.